制造商: Texas Instruments
产品种类: MOSFET
RoHS: 详细信息
技术: Si
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: VSON-Clip-8
通道数量: 1 Channel
晶体管极性: P-Channel
Vds-漏源极击穿电压: - 20 V
Id-连续漏极电流: 14 A
Rds On-漏源导通电阻: 11.7 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压: 12 V
最大工作温度: + 150 C
封装: Reel
通道模式: Enhancement
商标: Texas Instruments
配置: Single Quad Source Triple Drain
下降时间: 12.6 ns
最小工作温度: - 55 C
Pd-功率耗散: 2.8 W
上升时间: 3.9 ns
系列: CSD25401Q3
工厂包装数量: 2500
商标名: NexFET
晶体管类型: 1 P-Channel
典型关闭延迟时间: 13.5 ns
典型接通延迟时间: 8.1 ns
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