制造商: Texas Instruments
产品种类: MOSFET
RoHS: 详细信息
技术: Si
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: VSON-Clip-8
通道数量: 1 Channel
晶体管极性: N-Channel
Vds-漏源极击穿电压: 30 V
Id-连续漏极电流: 218 A
Rds On-漏源导通电阻: 1.8 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压: 20 V
Vgs th-栅源极阈值电压: 1.4 V
Qg-栅极电荷: 28.5 nC
最大工作温度: + 150 C
封装: Reel
商标: Texas Instruments
配置: Single
下降时间: 12 ns
正向跨导 - 最小值: 197 S
最小工作温度: - 55 C
Pd-功率耗散: 3.1 W
上升时间: 26 ns
系列: CSD17556Q5B
工厂包装数量: 2500
商标名: NexFET
晶体管类型: 1 N-Channel
典型关闭延迟时间: 27 ns
典型接通延迟时间: 14 ns
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