制造商: Infineon
产品种类: MOSFET
RoHS: 符合RoHS 详细信息
技术: Si
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: PQFN-6
通道数量: 1 Channel
晶体管极性: N-Channel
Vds-漏源极击穿电压: 20 V
Id-连续漏极电流: 22 A
Rds On-漏源导通电阻: 11.7 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压: 12 V
Vgs th-栅源极阈值电压: 0.5 V to 1.1 V
Qg-栅极电荷: 14 nC
最大工作温度: + 150 C
封装: Reel
通道模式: Enhancement
商标: Infineon / IR
配置: Single Quint Drain Dual Source
下降时间: 13 ns
正向跨导 - 最小值: 36 S
最小工作温度: - 55 C
Pd-功率耗散: 9.6 W
上升时间: 15 ns
工厂包装数量: 4000
晶体管类型: 1 N-Channel
典型关闭延迟时间: 19 ns
典型接通延迟时间: 5.8 ns
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