制造商: Infineon
产品种类: MOSFET
RoHS: 符合RoHS 详细信息
技术: Si
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: TO-252-3
通道数量: 1 Channel
晶体管极性: N-Channel
Vds-漏源极击穿电压: 250 V
Id-连续漏极电流: 45 A
Rds On-漏源导通电阻: 42 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压: 30 V
Vgs th-栅源极阈值电压: 5 V
Qg-栅极电荷: 72 nC
最大工作温度: + 175 C
封装: Tube
通道模式: Enhancement
商标: Infineon / IR
配置: Single
下降时间: 21 ns
正向跨导 - 最小值: 83 S
最小工作温度: - 40 C
Pd-功率耗散: 330 W
上升时间: 31 ns
工厂包装数量: 50
晶体管类型: 1 N-Channel
典型关闭延迟时间: 30 ns
典型接通延迟时间: 18 ns
单位重量: 4 g
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