制造商: Vishay
产品种类: MOSFET
RoHS: RoHS 合规性豁免 详细信息
技术: Si
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: SOIC-Narrow-8
通道数量: 2 Channel
晶体管极性: P-Channel
Vds-漏源极击穿电压: - 30 V
Id-连续漏极电流: 7.3 A
Rds On-漏源导通电阻: 29 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压: 20 V
Vgs th-栅源极阈值电压: - 3 V
Qg-栅极电荷: 32 nC
最大工作温度: + 150 C
封装: Reel
通道模式: Enhancement
商标: Vishay Semiconductors
配置: Dual Dual Drain
下降时间: 12 ns, 16 ns
最小工作温度: - 55 C
Pd-功率耗散: 2.5 W
上升时间: 8 ns, 35 ns
工厂包装数量: 2500
晶体管类型: 2 P-Channel
典型关闭延迟时间: 45 ns, 40 ns
典型接通延迟时间: 10 ns, 42 ns
零件号别名: SI4925DDY-GE3
单位重量: 187 mg
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