制造商: Vishay
产品种类: MOSFET
RoHS: 符合RoHS 详细信息
技术: Si
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: SOIC-Narrow-8
通道数量: 1 Channel
晶体管极性: N-Channel
Vds-漏源极击穿电压: 75 V
Id-连续漏极电流: 13.8 A
Rds On-漏源导通电阻: 9.8 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压: 20 V
最大工作温度: + 150 C
封装: Reel
通道模式: Enhancement
商标: Vishay / Siliconix
配置: Single Quad Drain Triple Source
下降时间: 8 ns, 9 ns
最小工作温度: - 55 C
Pd-功率耗散: 3.6 W
上升时间: 12 ns, 11 ns
工厂包装数量: 2500
晶体管类型: 1 N-Channel
典型关闭延迟时间: 22 ns, 23 ns
典型接通延迟时间: 15 ns, 13 ns
零件号别名: SI4108DY-GE3
单位重量: 187 mg
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