WNM2077
单N沟道，20V，0.54A，功率MOSFET
VDS（V）Rds（on）（Ω）
20
0.420 @ VGS = 4.5V
0.580 @ VGS = 2.5V
0.840 @ VGS = 1.8V
ESD保护
说明
WNM2077是N通道增强型MOS
场效应晶体管。 使用先进的沟槽
技术和设计，提供卓越的RDS（ON）
访问http //：www.willsemi.com
SOT-723
d
3
1 2
低栅极电荷。 该设备适合使用
在DC-DC转换，电源开关和充电
电路。 标准产品WNM2077是无铅的。
引脚配置（顶视图）
特征
●海沟技术
●超高密度电池设计
●出色的导通电阻，可提供更高的直流电
●极低的阈值电压
●小型封装SOT-723
应用
●继电器，电磁铁，电机，LED等驱动器
●DC-DC转换器电路
●电源开关
●负载开关
●充电
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