WPM2015
单P沟道，-20V，-2.4A，功率MOSFET
特征
z海沟技术
z Supper高密度电池设计
z出色的导通电阻，可提供更高的直流电
z极低的阈值电压
z小型封装SOT-23
应用
z继电器，电磁铁，电机，LED等驱动器
z DC-DC转换器电路
z电源开关
z负载开关
z充电
SOT-23
引脚配置（顶视图）
WT1*
WT1 =设备代码
* =月（A~Z）
印记
订单信息
设备包装运输
WPM2015-3 / TR SOT-23 3000 /卷轴和胶带
VDS（V）Rds（上）（葝）
0.081 @ VGS = 4.5V-20
0.103 @ VGS = 2.5V
WPM2015是P沟道增强型MOS场效应晶体管。 使用先进的沟槽技术和设计，提供卓越的RDS（ON）
低栅极电荷。 该设备适合使用在DC-DC转换，电源开关和充电电路。 标准产品WPM2015是无铅的
应用
z继电器，电磁铁，电机，LED等驱动器
z DC-DC转换器电路
z电源开关
z负载开关
z充电
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