制造商 STMicroelectronics
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
封装/箱体 H2PAK-2
通道数量 1Channel
晶体管极性 N-Channel
Vds-漏源极击穿电压 100V
Id-连续漏极电流 110A
RdsOn-漏源导通电阻 3.4mOhms
Vgsth-栅源极阈值电压 2.5V
Vgs-栅极-源极电压 20V
Qg-栅极电荷 117nC
最小工作温度 -55C
最大工作温度 +175C
配置 Single
Pd-功率耗散 250W
通道模式 Enhancement
封装 TapeandReel
系列 N-channelSTripFET
晶体管类型 1N-Channel
商标 STMicroelectronics
下降时间 33ns
产品类型 MOSFET
上升时间 57ns
工厂包装数量 1000
子类别 MOSFETs
典型关闭延迟时间 72ns
典型接通延迟时间 33ns
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