产品种类: | MOSFET | |
制造商: | Diodes Incorporated | |
RoHS: | ![]() | |
技术: | Si | |
安装风格: | SMD/SMT | |
封装 / 箱体: | SOT-223-3 | |
通道数量: | 1 Channel | |
晶体管极性: | P-Channel | |
Vds-漏源极击穿电压: | - 100 V | |
Id-连续漏极电流: | - 2.4 A | |
Rds On-漏源导通电阻: | 450 mOhms | |
Vgs - 栅极-源极电压: | +/- 20 V | |
Vgs th-栅源极阈值电压: | - 4 V | |
Qg-栅极电荷: | 10.7 nC | |
最小工作温度: | - 55 C | |
最大工作温度: | + 150 C | |
封装: | Reel | |
通道模式: | Enhancement | |
商标: | Diodes Incorporated | |
配置: | 1 P-Channel | |
下降时间: | 7.2 ns | |
正向跨导 - 最小值: | 2.8 S | |
Pd-功率耗散: | 3.9 W | |
上升时间: | 3.5 ns | |
系列: | ZXMP10A | |
工厂包装数量: | 1000 | |
晶体管类型: | 1 P-Channel | |
典型关闭延迟时间: | 13.4 ns | |
典型接通延迟时间: | 3 ns |
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