起订量 价格
1 ¥0.000
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产品种类: | MOSFET | |
制造商: | Infineon | |
RoHS: | ![]() | |
技术: | Si | |
安装风格: | Through Hole | |
封装 / 箱体: | TO-220-3 | |
通道数量: | 1 Channel | |
晶体管极性: | N-Channel | |
Vds-漏源极击穿电压: | 150 V | |
Id-连续漏极电流: | 50 A | |
Rds On-漏源导通电阻: | 20 mOhms | |
Vgs - 栅极-源极电压: | 20 V | |
最大工作温度: | + 175 C | |
封装: | Tube | |
通道模式: | Enhancement | |
商标: | Infineon Technologies | |
配置: | Single | |
下降时间: | 6 ns | |
高度: | 9.45 mm | |
长度: | 10.36 mm | |
最小工作温度: | - 55 C | |
Pd-功率耗散: | 150 W | |
上升时间: | 11 ns | |
系列: | OptiMOS 3 | |
工厂包装数量: | 500 | |
商标名: | OptiMOS | |
晶体管类型: | 1 N-Channel | |
典型关闭延迟时间: | 23 ns | |
典型接通延迟时间: | 14 ns | |
宽度: | 4.57 mm | |
零件号别名: | IPP200N15N3GXK IPP200N15N3GXKSA1 SP000680884 | |
单位重量: | 6 g |
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