起订量 价格
1 ¥0.000
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产品种类: | MOSFET | |
制造商: | Infineon | |
RoHS: | ![]() | |
技术: | Si | |
安装风格: | Through Hole | |
封装 / 箱体: | TO-247-3 | |
通道数量: | 1 Channel | |
晶体管极性: | N-Channel | |
Vds-漏源极击穿电压: | 600 V | |
Id-连续漏极电流: | 37.9 A | |
Rds On-漏源导通电阻: | 99 mOhms | |
Vgs th-栅源极阈值电压: | 3.5 V | |
Qg-栅极电荷: | 119 nC | |
封装: | Tube | |
商标: | Infineon Technologies | |
配置: | Single | |
下降时间: | 6 ns | |
Pd-功率耗散: | 278 W | |
上升时间: | 12 ns | |
系列: | CoolMOS C6 | |
工厂包装数量: | 240 | |
商标名: | CoolMOS | |
晶体管类型: | 1 N-Channel | |
典型关闭延迟时间: | 75 ns | |
典型接通延迟时间: | 15 ns | |
零件号别名: | IPW60R099C6FKSA1 IPW60R099C6XK SP000641908 | |
单位重量: | 38 g |
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