产品种类: MOSFET
制造商: Infineon
技术: Si
安装风格: Through Hole
封装 / 箱体: TO-254AA-3
通道数量: 1 Channel
晶体管极性: N-Channel
Vds-漏源极击穿电压: 200 V
Id-连续漏极电流: 27.4 A
Rds On-漏源导通电阻: 105 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压: 20 V
最大工作温度: + 150 C
通道模式: Enhancement
商标: Infineon / IR
配置: Single
下降时间: 130 ns
高度: 13.84 mm
长度: 13.84 mm
最小工作温度: - 55 C
Pd-功率耗散: 150 W
上升时间: 190 ns
晶体管类型: 1 N-Channel
典型关闭延迟时间: 170 ns
典型接通延迟时间: 35 ns
宽度: 6.6 mm
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