制造商: Vishay
产品种类: MOSFET
RoHS: 详细信息
技术: Si
安装风格: Through Hole
封装 / 箱体: HVMDIP-4
通道数量: 1 Channel
晶体管极性: N-Channel
Vds-漏源极击穿电压: 100 V
Id-连续漏极电流: 1.3 A
Rds On-漏源导通电阻: 270 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压: 20 V
最大工作温度: + 150 C
封装: Tube
通道模式: Enhancement
商标: Vishay Semiconductors
配置: Single Dual Drain
下降时间: 27 ns
高度: 3.37 mm
长度: 5 mm
最小工作温度: - 55 C
Pd-功率耗散: 1.3 W
产品: MOSFET Small Signal
上升时间: 27 ns
工厂包装数量: 2500
晶体管类型: 1 N-Channel
典型关闭延迟时间: 18 ns
典型接通延迟时间: 6.8 ns
宽度: 6.29 mm
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