制造商: Fairchild Semiconductor
产品种类: MOSFET
RoHS: 详细信息
技术: Si
安装风格: Through Hole
封装 / 箱体: TO-3P-3
通道数量: 1 Channel
晶体管极性: N-Channel
Vds-漏源极击穿电压: 100 V
Id-连续漏极电流: 140 A
Rds On-漏源导通电阻: 10 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压: 25 V
最大工作温度: + 175 C
封装: Bulk
通道模式: Enhancement
商标: Fairchild Semiconductor
配置: Single
下降时间: 360 ns
正向跨导 - 最小值: 80 S
高度: 18.9 mm
长度: 15.8 mm
最小工作温度: - 55 C
Pd-功率耗散: 375 W
上升时间: 940 ns
系列: QFET
工厂包装数量: 30
晶体管类型: 1 N-Channel
类型: MOSFET
典型关闭延迟时间: 350 ns
典型接通延迟时间: 75 ns
宽度: 5 mm
零件号别名: FQA140N10_NL
单位重量: 6.401 g
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