制造商: Fairchild Semiconductor
产品种类: MOSFET
RoHS: 详细信息
技术: Si
安装风格: Through Hole
封装 / 箱体: TO-220-3
通道数量: 1 Channel
晶体管极性: N-Channel
Vds-漏源极击穿电压: 600 V
Id-连续漏极电流: 6.5 A
Rds On-漏源导通电阻: 1.25 Ohms
Vgs th-栅源极阈值电压: 5 V
Qg-栅极电荷: 17 nC
最大工作温度: + 150 C
封装: Bulk
通道模式: Enhancement
商标: Fairchild Semiconductor
配置: Single
下降时间: 60 ns
正向跨导 - 最小值: 7.3 S
最小工作温度: - 55 C
Pd-功率耗散: 33 W
上升时间: 70 ns
系列: UniFET
工厂包装数量: 50
晶体管类型: 1 N-Channel
典型关闭延迟时间: 40 ns
典型接通延迟时间: 17.5 ns
单位重量: 2.270 g
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