制造商: Fairchild Semiconductor
产品种类: MOSFET
RoHS: 详细信息
技术: Si
安装风格: Through Hole
封装 / 箱体: TO-3P-3
通道数量: 1 Channel
晶体管极性: N-Channel
Vds-漏源极击穿电压: 500 V
Id-连续漏极电流: 19 A
Rds On-漏源导通电阻: 265 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压: 30 V
最大工作温度: + 150 C
封装: Bulk
通道模式: Enhancement
商标: Fairchild Semiconductor
配置: Single
下降时间: 90 ns
正向跨导 - 最小值: 25 S
高度: 18.9 mm
长度: 15.8 mm
最小工作温度: - 55 C
Pd-功率耗散: 239 W
上升时间: 165 ns
工厂包装数量: 30
晶体管类型: 1 N-Channel
典型关闭延迟时间: 95 ns
典型接通延迟时间: 55 ns
宽度: 5 mm
单位重量: 6.401 g
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